[发明专利]薄膜晶体管和制造方法无效
| 申请号： | 02800500.7 | 申请日： | 2002-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1457511A | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | S·C·迪恩;C·J·杜尔林 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 荷兰艾恩*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：淀积和图案化多个层(3，13，15，23)来确定薄膜晶体管，其中多个层之一(23)用高清晰度工艺图案化而多个层中的其它层(3，13，15)用低清晰度工艺图案化。具体地，确定薄膜晶体管的源和漏的金属化层(23)可以用高清晰度工艺图案化而其它的层可以用低清晰度工艺图案化。高清晰度工艺可以是光刻，低清晰度工艺可以是印刷。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有薄膜晶体管阵列的板的方法，包括任何顺序的如下步骤：用低清晰度工艺形成和图案化确定延伸跨越衬底的行导线的层；用低清晰度工艺形成和图案化半导体区域来形成薄膜晶体管的沟道区域，该半导体区域与行导线区域垂直对准，行导线形成薄膜晶体管的栅；在确定行导线的层与半导体区域之间形成栅绝缘层；以及用高清晰度工艺确定薄膜晶体管的源和漏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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