[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02800849.9 | 申请日： | 2002-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1460297A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 森胁将;丹羽正昭;久保田正文 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，包括：在硅衬底100上造成硅酸锆层103，同时在硅酸锆层103上造成锆氧化物层102，然后除去该锆氧化物层102，从而造成由硅酸锆层103所构成的栅极绝缘膜104。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其中包括：工序(a)，在硅衬底上形成至少一金属的硅酸盐金属层，同时在硅酸盐金属层上形成包括一金属的金属氧化物层；工序(b)，除去上述金属氧化物层，形成由上述硅酸盐金属层所构成的栅极绝缘膜；以及工序(c)，在上述栅极绝缘膜上形成栅极电极。
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