[发明专利]氮化物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02800852.9 | 申请日： | 2002-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1460284A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 小林俊雅;簗嶋克典;山口恭司;中岛博 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/20;H01L31/10;H01L33/00;H01S5/026;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 构造了一种氮化物半导体器件，使得器件的设计和制造具有高可靠性和灵活性。该氮化物半导体器件包括形成在蓝宝石衬底(10)上且每个均在其一侧表面上具有掩模(12)的籽晶部分(11)、以及通过横向生长法形成在蓝宝石衬底(10)和籽晶部分(11)上的GaN层(15)。因为GaN层(15)仅自籽晶部分(11)的暴露且未覆盖掩模(12)的侧面上生长，所以其横向生长非对称地进行，从而汇合部分(32)在GaN层(15)的厚度方向上形成在籽晶部分(11)和掩模(12)之间的界面附近。汇合部分(32)在平行于衬底表面的方向上在一个偏离相邻籽晶部分(11)之间的中心的位置上形成，这提供了一种结构，其中，相对于籽晶部分(11)的间距WP的横向生长区的宽度WL大于传统结构的。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体器件，在衬底上包括：多个由氮化物系化合物半导体制成的且形成为条纹的籽晶部分；包括氮化物系化合物半导体制成的、且自作为基底的籽晶部分生长的横向生长区和汇合部分的晶体层，其中，汇合部分在平行于衬底表面的方向上形成在偏离相邻籽晶部分之间的中心的位置上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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