[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 02800920.7 | 申请日： | 2002-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1460287A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;平山昌树;须川成利;后藤哲也;本乡俊明 | 申请（专利权）人： | 大见忠弘;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H05H1/46;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳,张英光 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有放射线槽天线的微波等离子体处理装置，可抑制异常放电，提高微波等离子体的激发效率。在放射线槽天线与同轴波导管的连接部中，使同轴波导管中的供电线前端部离开构成辐射面的槽板。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于：由：通过外壁围成、并具备保持被处理基板的保持台的处理容器；与所述处理容器连接的排气系统；向所述处理容器中供给等离子体气体的等离子体气体供给部；对应于所述等离子体气体供给部设置在所述处理容器上、通过同轴波导管供电的微波天线；和通过所述同轴波导管与所述微波天线电连接的微波电源；构成，由形成微波辐射面的第1外表面和与所述第1外表面相对的第2外表面来围成所述微波天线，构成所述同轴波导管的外侧波导管连接于所述第2外表面，构成所述同轴波导管的中心导体的前端部离开所述第1外表面，与所述第1外表面电容耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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