[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法和滞波板无效
申请号: | 02800921.5 | 申请日: | 2002-03-28 |
公开(公告)号: | CN1460288A | 公开(公告)日: | 2003-12-03 |
发明(设计)人: | 大见忠弘;平山昌树;须川成利;后藤哲也 | 申请(专利权)人: | 大见忠弘;东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H05H1/46;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳,张英光 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置,由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性,防止异常放电。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 滞波板 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,由:用外壁围成并具有保持被处理基板的保持台的处理容器;连接于所述处理容器的排气系统;向所述处理容器中提供等离子体气体的等离子体气体供给部;和在所述处理容器之上、对应于所述等离子体气体供给部而设置的、通过同轴波导管供电的微波天线构成,其特征在于:所述微波天线由具有开口部的辐射线路背面金属板;设置成覆盖位于所述辐射线路背面金属板上的所述开口部且具有多个槽的微波辐射面;和设置在所述辐射线路背面金属板与微波辐射面之间的电介质板构成,所述微波辐射面由导电性材料构成,该导电性材料与所述电介质板的热膨胀率差相对于所述电介质板的热膨胀率在10%以内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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