[发明专利]等离子体处理装置以及半导体制造装置

摘要

本发明涉及使用放射线槽天线的微波等离子体处理装置，使放射线槽天线辐射面与构成处理室外壁的一部分，贴紧在与浇淋板贴紧的盖板上，在放射线槽天线上还通过设置冷却器，以便吸收于厚度方向在处理室外壁中流过的热流，从而使浇淋板的冷却效率最佳化，同时使微波激励效率最佳化。

主权项

1.一种等离子体处理装置，其特征为，由：用外壁围成，并具有保持被处理基板的保持台的处理容器；与所述处理容器连接的排气系统；在所述处理容器上，按与所述保持台上的被处理基板相对置的方式，作为所述外壁的一部分而设置的、由浇淋板与盖板构成的等离子体气体供给部，所述浇淋板具有等离子体气体通路和与所述等离子体气体通路连通的多个开口部且在其第1侧与所述保持台上的被处理基板相对，所述盖板设在与所述浇淋板的所述第1侧相对置的第2侧；在所述处理容器上，与所述等离子体气体供给部相对应，按与所述盖板贴紧的方式设置的微波天线；以及与所述微波天线电连接的微波电源；构成，所述微波天线由与所述等离子体气体供给部的盖板接触、形成微波辐射面的第1外表面和与所述第1外表面对置的第2外表面围成。