[发明专利]制备各向异性晶体膜的方法及实施该方法的装置无效
| 申请号： | 02801013.2 | 申请日： | 2002-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1460282A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 帕维尔·拉扎列夫;维克托·纳扎罗夫;纳塔利娅·奥夫钦尼科娃 | 申请（专利权）人： | 奥普逖娃公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备各向异性晶体膜的方法和实施该方法的装置。将含有不等轴颗粒的胶体体系作为膜涂布在基片的表面，同时降低胶体体系的粘度。对降低了粘度的胶体体系中的颗粒进行导向，使其回复到胶体体系的起始粘度。然后对膜进行干燥，该干燥在可控制条件下进行。对已干燥的膜的区带可进行渐进加热以改善膜的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 各向异性 晶体 方法 实施 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制备各向异性晶体膜的方法，包括下述步骤：在基片上涂布一层含不等轴颗粒的胶体体系，对所述胶体体系进行外部处理以降低所述胶体体系的所述涂布层的粘度，对所述胶体体系施加外部导向作用以对所述胶体体系中的颗粒提供主导向，使具有所述颗粒的主导向的所述已沉积胶体体系至少回复到其起始粘度值，以及干燥所述已沉积层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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