[发明专利]一种后端金属化工艺无效
| 申请号： | 02801022.1 | 申请日： | 2002-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1460135A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | E·A·莫伊伦坎普;M·J·施雷弗斯 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/10 | 分类号： | C25D5/10;C25D7/04;H05K3/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 荷兰艾恩*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用铜填满凹槽的后端金属化工艺，其包括在凹槽表面上形成电镀基底以进行铜的后续电沉积的步骤，其中，在电镀基底形成后，在铜的电沉积之前，将一种可吸引到未被电镀基底覆盖的表面区域的改性剂加入凹槽中，从而对所述表面进行改性以促进该表面的铜的生长，因此可以在镀铜填充开始之前有效地修补初始电镀基底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 后端 金属化 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用铜填满凹槽(12)来制造电子器件的方法，包括在所述凹槽(12)表面上形成电镀基底(14)以进行所述铜的后续电沉积的步骤，其特征在于，在所述电镀基底(14)形成之后，在所述铜的所述电沉积之前，将一种可吸引到未被所述电镀基底(14)覆盖的表面区域(16)的改性剂加入所述凹槽(12)中，从而对所述表面进行改性以促进所述表面的铜的电沉积。
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