[发明专利]可重写光学数据存储介质以及这种介质的使用无效

专利信息
申请号: 02801135.X 申请日: 2002-04-04
公开(公告)号: CN1461475A 公开(公告)日: 2003-12-10
发明(设计)人: M·H·R·兰克霍斯特;J·C·N·里佩斯;H·J·博尔格;J·H·J·鲁斯 申请(专利权)人: 皇家菲利浦电子有限公司
主分类号: G11B7/24 分类号: G11B7/24
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯;张志醒
地址: 荷兰艾恩*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 描述一种具有以Ga-In-Sb合金为基础的相变记录层的光学数据存储介质,其成分位于三角形三元组成图中四边形区域TUVW之内。这些合金显示在30℃时其非晶稳定性达10年或更长。这种介质适用于例如至少30Mbit/sec的高速记录,例如DVD+RW、DVD-RW、DVD-RAM、高速CD-RW、DVR-红和DVR-蓝。
搜索关键词: 重写 光学 数据 存储 介质 以及 这种 使用
【主权项】:
1.一种用激光束(10)作高速记录的可重写光学数据存储介质(20),所述介质(20)具有衬底(1)和其上的堆叠层(2),所述堆叠层(2)包括第一介质层(3)、第二介质层(5)和具有包含Ga、In和Sb合金的相变材料的记录层(4),所述记录层(4)夹在所述第一介质层(3)和所述第二介质层(5)之间,其特征在于:所述合金中Ga、In和Sb的比例在以原子百分比表示的Ga-In-Sb三元组成图(30)中用一个区域来代表,所述区域是具有以下T,U,V和W顶点的四边形:Ga36In10Sb54(T)Ga10In36Sb54(U)Ga26In36Sb38(V)Ga52In10Sb38(W)
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