[发明专利]场效应晶体管带通放大器无效
| 申请号： | 02801150.3 | 申请日： | 2002-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1461519A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 宫城弘 | 申请（专利权）人： | 新泻精密株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/195 | 分类号： | H03F3/195;H03F1/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供可以降低增益控制时的残留噪声的FET带通放大器。在AM(调幅)收信机中所含的FET频带放大器5设有如图示的5级放大器11－15和插入在它们中间的BPF(带通滤波器)16以及AGC(自动增益控制)电路8。BPF16在通过比FET带通放大器全部放大频带更宽的频带成分的同时，通过除去从第3级放大器输出的信号中的低频成分来降低1/f噪声，通过除去高频成分来降低热噪声。因而，从末级放大器15输出的信号中所含的增益控制时的残留噪声就得到了降低。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体 管带 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种设有多级放大器以及控制该多级放大器的增益的增益控制电路的FET带通放大器，其中：所述多级放大器包含，用FET作为放大元件的级联的多级放大器，以及插入在所述多级放大器的中段、设定在比放大频带更宽的通频带上的带通滤波器；用p沟道FET作为所述放大器的至少从初级至第n级的所述FET。
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