[发明专利]FET频带放大器有效
| 申请号： | 02801151.1 | 申请日： | 2002-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1461520A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 宫城弘 | 申请（专利权）人： | 新泻精密株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/195 | 分类号： | H03F3/195 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供可获得高增益的FET频带放大器。AM接收机包含的FET频带放大器5由例如5级的放大器11～15和其间插入的BPF16构成。放大器11～15分别采用p沟道FET作为放大元件并作为差动放大器动作。BPF16使比整个FET频带放大器的放大频带宽的频带分量通过。通过除去由3级的放大器11～13放大的信号的低通分量，可以降低1/f噪声，通过除去高通分量可以降低热噪声。从而，BPF16的后级连接的放大器14、15不会因噪声分量引起饱和。 | ||
| 搜索关键词： | fet 频带 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种FET频带放大器，它包括：采用FET作为放大元件的级联连接的多级放大器；插入所述多级放大器的中级、通带设定成比放大频带宽的带通滤波器，所述多级放大器的至少从初级到n级为止的所述FET采用p沟道FET。
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