[发明专利]荧光体薄膜、其制造方法以及EL面板在审
申请号: | 02801297.6 | 申请日: | 2002-04-19 |
公开(公告)号: | CN1461336A | 公开(公告)日: | 2003-12-10 |
发明(设计)人: | 矢野义彦;大池智之 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C09K11/62 | 分类号: | C09K11/62;H05B33/14;H05B33/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王健 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种高辉度、且由于色纯度良好而不需要采用滤波片、并且辉度寿命长、特别适用于全色EL面板用的RGB的各元件的荧光体薄膜。本发明的荧光体薄膜,包含母体材料和发光中心,母体材料为至少含有碱土类元素、Ga和/或In、硫(S)、进而也可以含有Al的硫化物,或者除此之外进一步含有氧(O)的氧硫化物,在母体材料中,当碱土类元素以A表示,Ga、In和Al以B表示时,原子比B/A为B/A=2.1~3.5。 | ||
搜索关键词: | 荧光 薄膜 制造 方法 以及 el 面板 | ||
【主权项】:
1、一种荧光体薄膜,包含母体材料和发光中心,母体材料为至少含有碱土类元素、Ga和/或In、硫(S)、进而也可以含有Al的硫化物,或者除此之外还含有氧(O)的氧硫化物,在母体材料中,当碱土类元素以A表示,Ga、In和Al以B表示时,原子比B/A为B/A=2.1~3.5。
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