[发明专利]金属箔绕制的矮型电感-电容功率处理器无效
申请号: | 02801543.6 | 申请日: | 2002-05-06 |
公开(公告)号: | CN1462458A | 公开(公告)日: | 2003-12-17 |
发明(设计)人: | W·G·奥登达尔 | 申请(专利权)人: | 皇家菲利浦电子有限公司 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F27/02;H01F41/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;叶恺东 |
地址: | 荷兰艾恩*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明提供一种金属箔绕制矮型功率电感-电容处理器。磁绕组(20)设置在芯子(40)内。磁绕组(20)可以由一组或多组导电金属箔(26)和绝缘薄膜(24)一起绕制成螺旋形来制作。磁绕组(20)还可以包括电介质薄膜(28)。磁绕组(20)可以具有中央孔(22),在其中可以布置无磁和不导电的中央柱。中央柱还可以被分割成多个部分,其合并长度小于中央孔(22)的长度,以便在中央孔(22)内形成空气隙(50)。 | ||
搜索关键词: | 金属 箔绕制 电感 电容 功率 处理器 | ||
【主权项】:
1.一种金属箔绕制的矮型功率电感-电容处理器,它包括:磁绕组20;电连接到所述磁绕组20的至少一个第一绕组端子30;电连接到所述磁绕组20的至少一个第二绕组端子32;以及芯子40,它相对于所述磁绕组20布置并且工作时耦合到所述磁绕组20。
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