[发明专利]评估基于核的系统集成芯片(SoC)的方法及实现该方法的SoC的结构无效
| 申请号： | 02801611.4 | 申请日： | 2002-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1462475A | 公开（公告）日： | 2003-12-17 |
| 发明（设计）人： | 罗基特·拉尤斯曼 | 申请（专利权）人： | 株式会社鼎新 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/04;G01R31/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用高准确性和可观察性调试在基于核的系统集成芯片(SoC)Ic中个别核的方法，以及实现该方法的SoC的结构。该方法包括构造用于SoC的每个核的垫框的两个或更多金属层同时将在下面金属层上的I/O(输入和输出)垫连接到上面金属层，从而在每个核的垫框的上面金属层的表面上曝露所有I/O垫和电源垫以及通过在核的上面金属层上的I/O垫将测试矢量应用到每个核并评估通过上面金属层上的I/O垫接收的响应输出。 | ||
| 搜索关键词： | 评估 基于 系统集成 芯片 soc 方法 实现 结构 | ||
【主权项】：
1、一种评估系统集成芯片(SoC)的方法，包括下述步骤：构造两个或多个金属层以建立用于SoC中每个核的垫框和内电路节点同时将下面金属层上的I/O(输入和输出)垫连接到上面金属层，从而在每个核的垫框的上面金属层的表面上曝露所有I/O垫和电源垫；以及通过核的上面金属层上的I/O垫将测试矢量应用到每个核并评估通过上面金属层上的I/O垫接收到的核的响应输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
