[发明专利]有机硅酸酯聚合物和从其得到的绝缘膜无效

专利信息
申请号: 02801827.3 申请日: 2002-05-13
公开(公告)号: CN1463279A 公开(公告)日: 2003-12-24
发明(设计)人: 高敏镇;崔范圭;申东析;文明善;姜晶元;南惠映;金永得;姜贵权 申请(专利权)人: LG化学株式会社
主分类号: C08G77/02 分类号: C08G77/02;H01L21/312
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人: 王琦
地址: 韩国汉城市*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及具有高性能和高密度的次产生电器件如半导体器件必须的低介电物质,特别地涉及低介电有机硅酸酯聚合物、碳桥接低聚物的水解缩合产物的制备方法,以及使用由该方法制备的有机硅酸酯聚合物制造绝缘膜的方法,本发明涉及包括由该方法制备的绝缘膜的电器件。根据本发明方法制备的有机硅酸酯聚合物是热稳定的,且具有良好的成膜性能、优异的机械强度和耐裂缝性,从其制造的膜具有优异的绝缘性能、膜均匀性、介电性能、耐裂缝性、和机械强度。
搜索关键词: 有机 硅酸 聚合物 得到 绝缘
【主权项】:
1.一种有机硅酸酯聚合物的制备方法,包括如下步骤:a)提供由如下化学通式1表示的有机金属硅烷化合物;b)引起如下物质的格氏反应:i)单独的a)有机金属硅烷化合物,或ii)a)有机金属硅烷化合物和硅烷化合物或硅烷低聚物,以制备碳桥接的硅烷低聚物并除去金属化合物副产物;c)在有机溶剂中,混合b)碳桥接的硅烷低聚物,向其中加入水和催化剂以引起水解和缩合以制备有机硅酸酯聚合物;化学通式1:R1PR23-pSiR3MX(其中R1独立地是氢、氟、芳基、乙烯基、烯丙基、或氟取代的或未取代的线性或支化C1-4烷基;R2独立地是氯、乙酰氧基、羟基、或线性或支化C1-4烷氧基;R3是C1-6烃;M是镁、汞、或铜;X是卤素;p是0-2的整数)。
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