[发明专利]掺杂氮的退火晶片的制造方法以及掺杂氮的退火晶片有效
| 申请号： | 02801855.9 | 申请日： | 2002-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1463469A | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 饭田诚;玉塚正郎 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺杂氮的退火晶片的制造方法，其在对由掺杂氮的硅单晶切削、并至少经过研磨的晶片在氩、氢或其混合气体环境下实施1100～1350℃的高温热处理前，通过进行在小于前述高温热处理的处理温度温度滞留的工序，使前述高温热处理中消灭的尺寸的氧析出核生长为前述高温热处理中不消灭的尺寸，然后，进行前述高温热处理的掺杂氮的退火晶片的制造方法。据此，提供不受掺杂于硅单晶的氮浓度影响，从硅单晶的各部位切削而成的硅单晶晶片中的退火后的BMD密度的误差可被缓和。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 退火 晶片 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1、一种掺杂氮的退火晶片的制造方法，其特征为：对至少从掺杂氮的硅单晶切削、研磨而成的晶片，在氩、氢或其混合气体环境下实施1100～1350℃的高温热处理前，通过实施在低于前述高温热处理的处理温度的温度下滞留的工序，使前述高温热处理中消灭的尺寸的氧析出核生长为前述高温热处理中不消灭的尺寸，然后，进行前述高温热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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