[发明专利]半导体器件,半导体层及其生产方法无效
| 申请号： | 02801861.3 | 申请日： | 2002-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1460296A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 宇田川隆 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/201 | 分类号： | H01L29/201;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静,李峥 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明通过汽相法制备半导体器件，并且提供一种半导体层，该半导体层由磷化硼(BP)或一种BP基混合晶体组成，上述磷化硼(BP)在室温下具有不少于2.8eV和不多于3.4eV的带隙，而BP基混合晶体含有磷化硼(BP)并用下面分子式表示：BαAlβGaγIn1－α－β－γPδAsεN1－δ－ε(其中0＜α＝1，0＝β＜1，0＝γ＜1，0＜α+β+γ＝1，0＜δ＝1，0＝ε＜1，0＜δ+ε＝1)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体层，包括磷化硼(BP)，该BP在室温下具有不少于2.8eV和不多于3.4eV的带隙。
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