[发明专利]直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 02802101.0 | 申请日： | 2002-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1463305A | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 饭田诚 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片，从表面到3微米以上的深度存在无COP的无缺陷层；及一种单晶硅的制造方法，通过CZ法掺杂氮拉制直径300mm及300mm以上的单晶硅时，将拉晶速度设为V[mm/min]，以G[K/mm]表示从硅的熔点至1400℃间的拉晶轴向的结晶内温度梯度平均值，将V/G[mm2/K·min]的值设为低于0.17以生长结晶；及一种单晶硅晶片的制造方法，对掺杂氮的直径300mm及300mm以上的硅单晶硅晶片进行热处理，在惰性气体或氢或它们的混合气体的环境下，进行1230℃以上、1小时以上的热处理。由此，确立单晶硅拉晶条件及晶片的热处理条件，用于拉制直径300mm及300mm以上的单晶硅并加工成晶片，并对晶片进行热处理，获得在表层的相当深度具有无COP的无缺陷层的单晶硅晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 直径 300 mm 以上 单晶硅 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅晶片，是直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片，其特征在于：从表面到3微米以上的深度存在无COP的无缺陷层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体株式会社，未经信越半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02802101.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
