[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02802183.5 | 申请日： | 2002-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1511349A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 原田佳尚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，在硅基板(10)上，介有栅极绝缘膜(11)地形成栅极电极(12)。栅极绝缘膜(11)具有由含硅的铪氧化物构成的高介电常数膜(11a)，以及形成在高介电常数膜(11a)的下侧的、由含铪的硅氮化氧化膜所构成的下部屏障膜(11b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：具有形成在基板上的栅极绝缘膜、和形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极，所述栅极绝缘膜具有包含有一种金属、氧、及硅的高介电常数膜、和形成在该高介电常数膜的下侧的，包含所述一种金属、氧、硅、及氮的下部屏障膜。
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