[发明专利]高纯氟气体、其生产方法和用途和分析高纯氟气体中的痕量不纯物的方法无效
| 申请号： | 02802243.2 | 申请日： | 2002-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1639058A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 鸟巢纯一;跡边仁志;星野恭之 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C01B7/20 | 分类号： | C01B7/20;C01G53/08;G01N30/14;G01N21/35;H01S3/225 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在容器中分别进行至少一次步骤(1)将氟镍化合物加热以释放氟气体、步骤(2)使氟气体包藏在氟镍化合物内以及步骤(3)将氟镍化合物加热并降低内压，随后在步骤(1)中获得高纯氟气体。此外，在其表面上具有形成的氟化层的容器中，分别进行至少一次步骤(5)将氟镍化合物加热并将降低内压和步骤(6)使氟化氢含量降低的氟气体被包藏到氟镍化合物内，并进一步进行步骤(5)，然后将含不纯物的氟气体与氟镍化合物接触以固定并除去氟气体，和通过气相色谱分析不纯物。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 氟气 生产 方法 用途 分析 中的 痕量 不纯 | ||
【主权项】：
1.一种生产高纯氟气体的方法，包括进行步骤(1)-将容器中填充的氟镍化合物加热以释放氟气体和步骤(2)-使氟气体包藏到填充在容器中的氟镍化合物内，随后在步骤(1)中获得高纯氟气体，该方法包括分别进行至少一次步骤(1)和(2)以及步骤(3)-将容器中填充的氟镍化合物在250-600℃下加热并将容器内的压力降至0.01MPa(绝对压力)或更低，随后在步骤(1)中回收高纯氟气体。
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