[发明专利]薄膜半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02802263.7 | 申请日： | 2002-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1465092A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 松村正清;小穴保久;阿部浩之;山元良高;小关秀夫;蕨迫光纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶高新技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明中，通过用辐射分布的能量束照射形成在绝缘材料基底层上的非单晶半导体薄膜层，从而使能量束的最大强度区和能量束的最小强度区以规则的方式排列，制造薄膜半导体器件的基片用作具有半导体薄膜层的基片，其中晶粒尺寸超过2μm的大尺寸单晶晶粒以规则结构的方式排列。通过调节薄膜半导体器件的每个电路单元的位置，从而对应于在基片的半导体层中的单晶晶粒的位置，形成薄膜半导体器件的每个电路单元。通过上述工艺，得到薄膜半导体器件，其中具有源电极、漏电极和栅电极的多个电路单元以对应于半导体单晶晶粒的排列以规则的结构排列。该器件能够获得高迁移率的工作，而不会受到晶粒边界处电子散射等现象的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.在薄膜半导体器件的基片中，包括：绝缘材料的基底层，形成在基底层上的半导体薄膜层，基片的特征在于多个单晶半导体晶粒形成在半导体薄膜层中，所述多个单晶半导体晶粒以规则结构排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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