[发明专利]人工晶体的钝化方法无效
| 申请号： | 02802309.9 | 申请日： | 2002-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1464981A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 德克·H·门兹;乔基姆·德雷斯普;汉斯·霍劳夫 | 申请（专利权）人： | 鲍希和隆布公司 |
| 主分类号： | G02B1/04 | 分类号： | G02B1/04;C08J7/12;A61L27/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 巫肖南;封新琴 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及使人工晶体表面钝化的方法，所述晶体表面包含反应性Brnsted位点。其常规方法在原始物质上产生改变，呈现与医疗助剂的不期望的相互作用。本发明的目的是描述一种以有利方式钝化和涂布人工晶体的方法，该方法仅在原始物质上产生极小的改变。上述目的可如下实现：将人工晶体浸入氟烷基硅烷溶液中，使表面的Brnsted中心因Si－O键的形成而被钝化，所述氟烷基硅烷具有通式RF－(CH2)n－Si－(O－R)3，其中，R=H，CH3，C2H5或C3H7，氟烷基基团RF=CF3(CF2)m，其中m=3到11，n=0到4。 | ||
| 搜索关键词： | 人工 晶体 钝化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钝化人工晶体的表面的方法，所述表面包含Brnsted位点，该方法的特征在于将人工晶体沉浸到如下通式的氟烷基硅烷溶液中：RF-(CH2)n-Si-(O-R)3，其中残基R选自：H，CH3，C2H5，C3H7，氟烷基残基RF选自系列物质CF3(CF2)m，其中m＝3到11，n＝0到4，所述表面上的Brnsted位点通过形成Si-O键而被钝化。
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