[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02802677.2 | 申请日： | 2002-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1466779A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 高木刚;井上彰 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/786;H01L21/8238;H01L27/092;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | Si层15中源极区域19与漏极区域20之间的区域构成为包含高浓度N型杂质的Si基体区域21。Si层16和SiGe层17任一在生长(as－grown)状态下都构成为不掺杂N型杂质的非掺杂层，Si层16和SiGe层17中源极区域19与漏极区域20之间的区域分别构成为包含低浓度N型杂质的Si缓冲区域22、和包含低浓度N型杂质的SiGe沟道区域23。Si膜18中位于栅极绝缘膜12正下方的区域构成为导入P型杂质(5×1017atoms·cm－3)的Si间隙区域24。从而，可得到抑制阈值电压增大的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具备：基板；设置在所述基板上部的半导体层；设置在所述半导体层之上部的栅极绝缘膜；设置在所述栅极绝缘膜之上的栅极电极；设置在所述半导体层中所述栅极电极两侧的第1导电型第1源-漏极区域；设置在所述半导体层中位于所述第1源-漏极区域间的区域中的、由第1半导体构成的第1导电型的第1间隙区域；设置在所述半导体层中所述第1间隙区域下方、由对于载流子移动频带端的载流子的电位比所述第1半导体还小的第2半导体构成的第1沟道区域；和设置在所述半导体层中所述第1沟道区域下方的、由第3半导体构成的第2导电型的第1基体区域。
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