[发明专利]制造半导体装置的方法

摘要

一种结构的制造方法，该结构产生功率管理半导体装置和模拟半导体装置，所述装置能在短时期内以低成本制造，在低功率下以低的功耗运转，并具有高驱动能力和高精度的复杂功能。该方法用于制造包括CMOS和电阻器的功率管理半导体装置和模拟半导体装置的P型多酸结构。P型多酸结构是P型多晶硅层和难熔金属硅化物层的多层结构，其中无论CMOS是NMOS还是PMOS，CMOS栅电极的导电类型是P型。用在分压电路和CR电路中的电阻器由多晶硅在不同于栅电极层的层中形成。

主权项

1.制造半导体装置的方法，包括以下步骤： 通过热氧化在半导体衬底上形成元件隔离绝缘膜； 通过热氧化形成栅绝缘膜； 在栅绝缘膜上以500-2500的厚度淀积第一多晶硅膜； 用杂质掺杂第一多晶硅膜，使得杂质的浓度是1×10¹⁸原子/cm³或 更高以使第一多晶硅膜的导电类型是P型； 在具有P型的第一多晶硅膜上淀积有500-2500厚度的高熔 点金属硅化物膜； 在高熔点金属硅化物膜上淀积有500-3000厚度的绝缘膜； 刻蚀具有P型的第一多晶硅膜、高熔点金属硅化物膜、和绝缘膜以 形成栅电极； 在元件隔离绝缘膜上淀积有500-2500厚度的第二多晶硅 膜； 用第一导电类型杂质以1×10¹⁴-9×10¹⁸原子/cm³的浓度掺杂第二多 晶硅膜的整个区域或第二多晶硅膜的第一区域； 用第二导电类型杂质以1×10¹⁴-9×10¹⁸原子/cm³的浓度掺杂第二多 晶硅膜的第二区域； 刻蚀第二多晶硅膜以形成由第二多晶硅膜组成的电阻器；用第一导 电类型杂质以1×10¹⁶-1×10¹⁸原子/cm³的浓度掺杂第一导电类型MOS晶 体管的低浓度扩散区； 用第二导电类型杂质以1×10¹⁶-1×10¹⁸原子/cm³的浓度掺杂第 二导电类型MOS晶体管的低浓度扩散区； 用第一导电类型杂质以1×10¹⁹原子/cm³或更高的浓度掺杂第二 多晶硅膜的第一区的整个区或一部分； 实施热处理，使得第一导电类型MOS晶体管的低浓度扩散区和第 二导电类型MOS晶体管的低浓度扩散区有与栅电极重叠的区； 用第一导电类型杂质以1×10¹⁹原子/cm³或更高的浓度掺杂第二 多晶硅膜的第一区的整个区或一部分； 用第二导电类型杂质以1×10¹⁹原子/cm³或更高的浓度掺杂第二 多晶硅膜的第二区的整个区或一部分； 形成中间绝缘膜于半导体衬底之上；在半导体衬底之上中间绝缘膜 中形成接触孔；以及 在接触孔中提供金属线路。