[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02802804.X | 申请日： | 2002-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1494742A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 森日出树 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括高耐压MOS晶体管的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件包括MOS晶体管，其中第二导电型源区形成在第一导电型半导体区域上，一个偏移漏区互连到一个第二导电型漏区并且具有比一个漏区的杂质浓度更低的浓度，该偏移漏区由不与第一导电型半导体区域相重叠的部分以及与第一导电型半导体区域的部分表面相重叠的部分所构成，以及一个栅极形成在从所述源区和所述偏移漏区之间的沟道区通过栅绝缘膜延伸到部分偏移漏区的表面上。因此，可以获得具有稳定阈值电压Vth和低导通状态电阻的偏移漏极型MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件包括MOS晶体管，其中第二导电型源区形成在第一导电型半导体区域上，并且电连接到第二导电型漏区，形成具有比所述漏区的杂质浓度更低的杂质浓度的一个偏移漏区，所述偏移漏区包括不与所述第一导电型半导体区域相重叠的部分以及与第一导电型半导体区域的部分表面相重叠的部分，以及一个栅极形成在从所述源区和所述偏移漏区之间的沟道区通过栅绝缘膜延伸到部分偏移漏区的表面上。
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