[发明专利]溅射靶及其制备方法有效
| 申请号： | 02802919.4 | 申请日： | 2002-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1492941A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 仙田贞雄;尾野直纪;林博光;早川泉 | 申请（专利权）人： | 三井金属鉱业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 经过机械研磨工序后制备的溅射靶，其特征为：在其第一实施方案中，当剖面观察这种靶子的溅射表面时，充分消除了具有至少为规定值深度和长度的微裂缝，且在其第二实施方案中，经过机械研磨后制备的溅射靶的溅射表面在装运之前先进行溅射。可以提供有效降低电弧放电，尤其是初期电弧发生并且显著提高初期稳定性的溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.通过机械研磨工序制造的溅射靶，其特征在于，当剖面观察所述靶子的溅射表面时，基本没有发现深度不小于15微米和长度不小于40微米的微裂缝。
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