[发明专利]掩膜形成方法及去除方法、以及由该方法制造的半导体器件、电路、显示体模件、滤色器及发光元件有效
| 申请号： | 02802973.9 | 申请日： | 2002-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1473284A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 森义明;宫川拓也;佐藤充;足助慎太郎;高木宪一 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36;H01L21/3205;H01L21/288;H05K3/00;C25D5/02;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供可以减少制造成本的掩膜形成方法。一种为了采用液状的图案材料形成所需的图案，在被处理部件的表面形成掩膜的方法，其构成为具有：对整个被处理部件表面涂布抗蚀剂的第1工序(S152)、干燥已涂布的抗蚀剂的第2工序(S154)、通过用光刻法去除图案形成部分的抗蚀剂而进行图案形成的第3工序(S156)、和加热处理抗蚀剂的第4工序(S158)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 去除 以及 制造 半导体器件 电路 显示 模件 滤色器 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜形成方法，为了用液状的图案材料形成所需的图案，该方法由：在整个所述被处理部件表面形成疏液性掩膜材料层的掩膜材料层形成工序、在所述掩膜材料层的所述图案形成部分通过去除所述掩膜材料进行图案形成的图案形成工序、涂布所述液状的图案材料形成所述所需图案的成膜工序、干燥并烧成所述液状的图案材料的加热工序、去除所述掩膜的掩膜去除工序所构成，其特征在于，所述图案形成工序中，通过在电解液中对形成在被处理部件表面上的导电材料图案进行通电，电解去除所述导电材料图案上的掩膜材料层。
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