[发明专利]小直径孔镀铜的方法有效
| 申请号： | 02803132.6 | 申请日： | 2002-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1476492A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 中村健次 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C25D5/18 | 分类号： | C25D5/18;C25D7/00;H05K3/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种小直径孔镀铜的方法，使用含有硫酸铜、硫酸、氯离子、硫化合物、以及表面活性剂的硫酸铜镀液通过PPR法将铜镀在具有小直径孔的要镀物体的小直径孔的内部，包括通过在0.1到1A/dm2的电流密度范围内进行转向电解，剥离掉吸收到要镀物体的硫化合物中靠近小直径孔的开口附近的硫化合物，以保持常规电解时小直径孔中的极化电阻小于小直径孔开口附近的极化电阻，并在小直径孔中形成均匀厚度的铜镀膜。不需要高精确度、大容量脉冲电源，因此可以减小资金费用，并且将小直径孔镀得很好。 | ||
| 搜索关键词： | 直径 镀铜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种小直径孔镀铜的方法，使用含有硫酸铜、硫酸、氯离子、硫化合物、以及表面活性剂的硫酸铜镀液，通过PPR法将铜镀在具有小直径孔的要镀物体的小直径孔的内部，所述小直径孔镀铜的方法的特征在于通过在0.1到1A/dm2的电流密度范围内进行转向电解，剥离掉吸收到要镀物体的硫化合物中靠近小直径孔的开口附近的硫化合物，以保持常规电解时小直径孔中的极化电阻小于小直径孔开口附近的极化电阻，并在小直径孔中形成均匀厚度的铜镀膜。
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