[发明专利]信息存储装置和安装了该信息存储装置的电子设备

摘要

本发明是搭载了利用强磁性体控制磁化方向的信息存储元件，例如MRAM的电子设备即使接受某些强磁场，也要使该磁场不影响存储层，防止信息误存储的信息存储装置和安装了该信息存储装置的电子设备。本信息存储装置(1)具备利用磁阻效应存储信息的信息存储元件(12)，在安装信息存储元件(12)的时候，所使用的树脂材料(13)由混入高导磁率材料的材料构成，并且在信息存储元件(12)，表面的至少一部分或全表面上形成高导磁率材料膜或含有高导磁率材料的薄膜。

主权项

1.一种信息存储装置，具备利用磁阻效应存储信息的信息存储元件，其特征是：在安装所述信息存储元件的时候，所使用的树脂材料由混入了高导磁率材料的材料构成。