[发明专利]ITO溅射靶用氧化锡粉末、该粉末的制造方法、用于形成ITO膜的烧结体溅射靶及该靶的制造方法有效

专利信息
申请号: 02803276.4 申请日: 2002-02-15
公开(公告)号: CN1633516A 公开(公告)日: 2005-06-29
发明(设计)人: 古仲充之;栗原敏也 申请(专利权)人: 株式会社日矿材料
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C01G19/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 王维玉;丁业平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供ITO溅射靶用氧化锡粉末,其特征在于,由粒度分布求得的中径在0.40~1.0μm的范围内,且从粒度分布求得的90%粒径在3.0μm以下的范围内。本发明还提供可以得到具有优良的适合形成ITO薄膜的高密度化和成分均匀性的烧结体的氧化锡粉末及使用该粉末烧结的用于形成ITO膜的溅射靶,由此可以以低成本提供用于形成ITO膜的氧化锡-氧化铟靶,该靶可以抑制在形成ITO薄膜时产生小结等或其引起的质量下降。
搜索关键词: ito 溅射 氧化 粉末 制造 方法 用于 形成 烧结
【主权项】:
1.ITO溅射靶用氧化锡粉末,其特征在于,从粒度分布求得的中径在0.40~1.0μm的范围内,且从粒度分布求得的90%粒径在3.0μm以下的范围内。
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