[发明专利]低氧氟化钽酸钾及低氧氟化铌酸钾晶体的制造方法、用上述方法制得的晶体及其氧分析方法无效

专利信息
申请号: 02803363.9 申请日: 2002-09-25
公开(公告)号: CN1483001A 公开(公告)日: 2004-03-17
发明(设计)人: 内野义嗣;木下正典 申请(专利权)人: 三井金属鉱业株式会社
主分类号: C01G33/00 分类号: C01G33/00;C01G35/00;G01N1/28;G01N21/35
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 胡烨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 以提供低氧氟化钽酸钾晶体及低氧氟化铌酸钾晶体的制造方法、利用该制造方法制得的晶体、以及这些晶体中的氧分析方法为目的。低氧氟化钽酸钾晶体的制造方法是利用控制冷却以氢氟酸作为必需成分的饱和氟化钽酸钾溶液来生成这些重结晶体,再将生成后的该重结晶体过滤分离提取,并将该过滤分离提取的重结晶体在干燥装置内进行干燥,得到晶体,在这样的方法中,具有以氢氟酸为必需成分的饱和氟化钽酸钾溶液的氢氟酸浓度为0.5mol/L-10mol/L的特征。
搜索关键词: 低氧 氟化 钽酸钾 铌酸钾 晶体 制造 方法 用上 法制 及其 分析
【主权项】:
1.低氧氟化钽酸钾晶体的制造方法,它是通过控制冷却以氢氟酸作为必需成分的饱和氟化钽酸钾溶液来生成重结晶体,将生成的该重结晶体过滤分离提取,并将该过滤分离提取的重结晶体在干燥装置内进行干燥,得到晶体的方法,其特征在于,以氢氟酸为必需成分的饱和氟化钽酸钾溶液的氢氟酸浓度为0.5mol/L-10mol/L。
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