[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，具有存储型SiC－MISFET结构，包括在SiC基板上形成的p型SiC层(10)、n型沟道层(20)、栅极绝缘膜(11)、栅极(12)、n型沟道层(13a、13b)。沟道层(20)具有非掺杂层(22)、和在非掺杂层(22)的下端部附近设置的δ掺杂层(21)。由于在沟道层(20)的深部区域中具有高浓度的δ掺杂层(21)，从而可以使沟道层的表面区域中的电场减弱，提高电流驱动能力。

主权项

1.一种半导体装置，其特征是包括半导体基板；在所述半导体基板的至少一部分上设置的第1导电型半导体区域；形成在所述第1导电型半导体区域上、具有不均匀的杂质浓度分布的、平均上是第2导电型的、经调制掺杂的沟道层；在所述沟道层上形成的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成的栅极；以及设置在所述第1导电型半导体区域中的所述栅极的侧方上的第2导电型的源极层，假定在所述沟道层中距离表面的深度为y，在深度方向上杂质浓度为深度y的函数N(y)，沟道层的平均杂质浓度为Ncm，所述沟道层中杂质浓度在深度方向上分布的重心深度yc由下式表示时，yc＝|{∫N(y)·y·dy}/Ncm|假定沟道层整体的厚度为Tch，则使构成的沟道层满足下式yc≥Tch/2。