[发明专利]以电化学机械研磨法进行基材平坦化无效
| 申请号： | 02803505.4 | 申请日： | 2002-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1531747A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈良毓;许伟勇;阿兰杜博斯特;拉特森莫拉得;丹尼尔A·卡尔;沙逊索姆赫;丹梅达恩 | 申请（专利权）人： | 美商·应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种将一基材上的材料层平坦化的方法及设备。本发明的方法被提供来处理一基材，该方法包括：形成一钝态层于一基材表面上，在一电解溶液中研磨该基材，施加一阳极偏压至该基材表面，及将材料从该基材表面的至少一部分上去除掉。本发明的设备其包括一部分容器(enclosure)、研磨物、一阴极、一电源，一基材载具可移动地设置在该研磨物之上，及一电脑基础的控制器用来将一基材置于一电解液中用以形成一钝态层于一基材表面上，在该电解液中用该研磨物来研磨该基材，及施加一阳极偏压至该基材表面上或至该研磨物上用以将材料从该基材表面的至少一部分上去除掉。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 机械 研磨 进行 基材 平坦 | ||
【主权项】：
1.一种处理一基材的方法，该方法至少包含：形成一钝态层于一基材表面上；在一电解液中研磨该基材；施加一阳极偏压至该基材表面；及将物质从该基材表面的至少一部分上去除掉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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