[发明专利]具有法拉第屏蔽以及埋在衬底中的电介质阱的高Q电感有效
| 申请号： | 02803598.4 | 申请日： | 2002-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1484838A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 劳尔·阿科斯塔;詹妮弗·伦德;罗伯特·格鲁维兹;乔安娜·罗斯纳儿;史蒂文·考德斯;美兰妮·卡拉索 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01F17/00 | 分类号： | H01F17/00;H01F27/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过在衬底中蚀刻到达涂覆在衬底上的绝缘层的阱并以细长分段的形状在阱的底部制造接地的法拉第屏蔽来消除电感对半导体衬底的损耗。阱直接位于电感的下面，并且可选择填充硬化的低k有机电介质或空气。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 法拉第 屏蔽 以及 衬底 中的 电介质 电感 | ||
【主权项】：
1.一种用于集成电路的器件，包括：a.半导体衬底；b.衬底中的阱，阱具有底；c.在阱底上平面设置的导电接地屏蔽；以及d.设置在阱的上方并平行于所述屏蔽的电感。
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