[发明专利]硅系列构造体的制造装置与制造方法无效
| 申请号： | 02803651.4 | 申请日： | 2002-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1484611A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 岛冈敬一;坂田二郎;水野隆教;奥田胜治;松井正行;铃木泰彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社丰田中央研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 何腾云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 简化中空的硅系列构造体的制造工序。硅系列构造体的制造装置是在硅基板上形成氧化硅层，加工将该氧化硅层用硅层覆盖的试料，从而制造中空的硅系列构造体的装置。该装置具备第一气体供给部(20、21)、第二气体供给部(30、31)、浸蚀反应室(10)、选择连通机构(23～26、34、35)和气体排出机构(42)。第一气体浸蚀硅。第二气体浸蚀氧化硅却几乎不浸蚀硅。选择连通机构(23～26、34、35)有选择性地使浸蚀反应室(10)与第一气体供给部(20、21)和第二气体供给部(30、31)中的任一个连通。气体排出机构(42)将浸蚀反应室(10)内的气体排出。 | ||
| 搜索关键词： | 系列 构造 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅系列材料的加工装置，其特征在于，具备：第一气体供给部、第二气体供给部、浸蚀反应室、选择连通机构和气体排出机构；第一气体是浸蚀硅的气体；第二气体是浸蚀氧化硅却几乎不浸蚀硅的气体；选择连通机构使浸蚀反应室选择性地与第一气体供给部和第二气体供给部中的任一个连通；气体排出机构将浸蚀反应室内的气体排出。
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