[发明专利]磁存储元件、其制造方法和驱动方法、及存储器阵列无效
| 申请号： | 02803917.3 | 申请日： | 2002-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1488176A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 松川望;平本雅祥;小田川明弘;里见三男;杉田康成 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/105;G11C11/14;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁存储元件，包含磁电阻元件、用于发生使所述该元件的电阻值变化的磁束的导线、和该磁束通过的至少一个强磁性体，强磁性体形成磁隙，在该磁隙，磁束通过上述元件，并且以下关系式a)～c)成立。a)M1≤2Lg，b)Lw/Ly≤5和Ly/Lt≥5的至少之一，c)Ly≤1.0μm。其中，M1为沿平行于磁隙方向测定的元件的长度，Lg为磁隙的长度，Lt为强磁性体的厚度，Lw为强磁性体在导线延伸方向上的长度，Ly为磁束通过强磁性体内的距离。本发明还提供一种与该元件一样、有助于存储器高容量化的另外的元件等。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 制造 方法 驱动 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储元件，包含磁电阻元件、用于发生使所述磁电阻元件的电阻值变化的磁束的导线、和所述磁束通过的至少一个强磁性体，所述强磁性体形成磁隙，在所述磁隙，所述磁束通过所述磁电阻元件，并且，以下关系式a)～c)成立，a)M1≤2Lgb)Lw/Ly≤5和Ly/Lt≥5的至少之一c)Ly≤1.0μm其中，M1为沿平行于所述磁隙方向测定的所述磁电阻元件的长度，Lg为所述磁隙的长度，Lt为所述强磁性体的厚度，Lw为所述强磁性体在所述导线延伸方向上的长度，Ly为所述磁束通过所述强磁性体内的距离。
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