[发明专利]半导体激光器或其相关方面的改进有效
申请号: | 02803965.3 | 申请日: | 2002-01-23 |
公开(公告)号: | CN1488183A | 公开(公告)日: | 2004-04-07 |
发明(设计)人: | 克雷格·J·汉密尔顿;约翰·H·马什 | 申请(专利权)人: | 格拉斯哥大学理事会 |
主分类号: | H01S5/16 | 分类号: | H01S5/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 英国格*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 本发明公开一种改进的半导体激光器件(10;10a),例如单模折射率导引激光二极管。该器件(10;10a)包括:光波导(15;15a);沿该波导(15;15a)的部分长度延伸的至少一个电接触部(20;20a);以及其中,该至少一个电接触部(20;20a)比光波导(15;15a)短。通过这种布置,在使用中,波导(15;15a)的多个部分中的一部分不被电泵浦。 | ||
搜索关键词: | 半导体激光器 相关 方面 改进 | ||
【主权项】:
1.一种半导体激光器件,包括:包括光波导的光学有源区和设置在该光波导的一端或更多端上的至少一个光学无源区;其中至少一个光学无源区比光波导宽,使得在使用中,光波导的光输出在穿过该至少一个光学无源区时发生衍射。
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