[发明专利]液晶显示器的薄膜晶体管阵列板及其制造方法有效
申请号: | 02804028.7 | 申请日: | 2002-02-27 |
公开(公告)号: | CN1488083A | 公开(公告)日: | 2004-04-07 |
发明(设计)人: | 李昶勋;金南兴;仓学璇;柳在镇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 在液晶显示器的制造方法中,减小用于存储电容的绝缘层的厚度以增大存储容值并以稳定的方式维持孔径比。用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板包括绝缘基板和栅极线组件以及形成在绝缘基板上的存储电容线组件。栅极线组件具有栅极线和栅极电极。栅极绝缘层覆盖栅极线组件和存储电容线组件。半导体图案形成在栅极绝缘层上。数据线组件和存储电容导体图案形成在覆盖有半导体图案的栅极绝缘层上。数据线组件具有数据线、源极电极和漏极电极。存储电容导体图案与存储电容线组件部分重叠,由此形成第一存储电容。钝化层覆盖数据线组件、存储电容导体图案和半导体图案。第一和第二接触孔形成在钝化层上并暴露漏极电极和存储电容导体图案。像素电极形成在钝化层上并经第一和第二接触孔连接到漏极电极和存储电容导体图案。像素电极形成与部分存储电容线组件相连的第二存储电容。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示器 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列板,包括:一绝缘基板;一栅极线组件,形成在该绝缘基板上并具有栅极线和栅极电极;一栅极绝缘层,覆盖该栅极线组件;一半导体图案,形成在该栅极绝缘层上;一数据线组件,形成在覆盖有该半导体图案的该栅极绝缘层上,该数据线组件具有与该栅极线交叉的数据线、连接到该数据线的源极电极、以及面对该源极电极的漏极电极;存储电容电极线,形成在相邻的数据线之间并与栅极线交叉;一钝化层,覆盖该数据线组件、该存储电容电极线和该半导体图案并具有暴露该漏极电极的接触孔;和像素电极,形成在该钝化层上并经该接触孔连接到该漏极电极,该像素电极与该存储电容电极线重叠。
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