[发明专利]热处理方法和热处理装置无效
申请号: | 02804070.8 | 申请日: | 2002-01-24 |
公开(公告)号: | CN1488165A | 公开(公告)日: | 2004-04-07 |
发明(设计)人: | 松冈孝明 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/324 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在将LCD基板送入到热处理单元的反应容器内后,从与LCD基板的表面相对的气体供给部向LCD基板的整个表面的范围吹预先加热的热交换用氦气。通过加热器的辐射热量以及与氦气的热交换,使LCD基板的温度上升。在反应容器内,进行CVD、退火等的处理后,从气体供给部向LCD基板的整个表面的范围吹大致室温温度的热交换用气体,对LCD基板进行冷却。将经冷却的LCD基板通过运送室,返回到托架室内的托架上。 | ||
搜索关键词: | 热处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种热处理方法,其采用热处理装置,该热处理装置以气密方式将对基板托架进行送入送出的托架室、用于运送基板的运送室和用于对基板进行热处理的热壁型热处理单元的反应容器连接,通过所述运送室内的运送机构,从托架室内的基板托架取出液晶器件用的玻璃基板,将其运送到所述热处理单元内,在这里进行热处理,其特征在于,该方法包括:将玻璃基板从所述运送室运送到所述热处理单元内的反应容器内的工序;将所述反应容器内加热到处理温度,对所述玻璃基板进行热处理的工序;在使所述反应容器内升温到处理温度的过程,和在热处理后使反应容器降温过程中的至少一个过程中,将热交换用气体供给所述玻璃基板的表面,在所述玻璃基板与所述气体之间进行热交换的工序;以及从所述反应容器搬出热处理后的玻璃基板的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02804070.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造