[发明专利]磁性随机内存(MRAM)胞元之参考有效
| 申请号： | 02804072.4 | 申请日： | 2002-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1689107A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | H·霍恩格施米德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明系为用于一MRAM数组之一参考电路(132)，其包含与逻辑”0”参考MRAM胞元MR0a及MR0b并联耦合之逻辑”1”参考MRAM胞元MR1a及MR1b。参考电流Iref系耦合至感测放大器130之一测量电阻RM4，该感测放大器系用以决定一未知内存胞元MCU之逻辑状态。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 内存 mram 参考 | ||
【主权项】：
1.一种用于一磁性随机内存(MRAM)数组的参考电路，包括：至少一MRAM储存胞元，其系具有储存于其中之一逻辑”1”；以及至少一MRAM储存胞元，其系具有储存于其中之一逻辑”0”，并耦合至该逻辑”1”MRAM储存胞元，其中该参考电路系用以供给一参考电流至该MRAM数组之一感测放大器，以决定在该数组中该MRAM胞元之逻辑状态。
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