[发明专利]串行MRAM组件无效
| 申请号： | 02804074.0 | 申请日： | 2002-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1557021A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | H·霍恩格施米德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8246;G11C11/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明系揭示一MRAM装置(100)及其制造方法，其具有串联连接在一起之磁性内存储存胞元或堆栈(MS0、MS1、MS2及MS3)。而装置(X0、X1、X2及X3)系分别并联连接至每一该磁性内存储存胞元(MS0、MS1、MS2及MS3)。活性面积(AA)系为连续，且接触通孔(VU1、VL1、VU2、VL2及VU3)系为藉由磁性堆栈(MS0、MS1、MS2及MS3)而为共享。N+区域(108、110、112、114、116及118)系藉由装置(X0、X1、X2及X3)而彼此连接在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 串行 mram 组件 | ||
【主权项】：
1.一种电阻性半导体装置，包括：一半导体基板；以及复数个磁性内存储存胞元位于该基板之上，每一该储存胞元包括一第一端及一第二端，该等储存胞元系彼此串联连接，以使该等储存胞元之一第一端连接至该等储存胞元之一相邻储存胞元之一第二端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术北美公司，未经因芬尼昂技术北美公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02804074.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：生长碲锰汞晶体的方法
- 下一篇：用于共享电话线路的占用的方法、布置和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
