[发明专利]半导体存储器以及其动作模式的输入方法无效

专利信息
申请号: 02804498.3 申请日: 2002-01-30
公开(公告)号: CN1491418A 公开(公告)日: 2004-04-21
发明(设计)人: 高桥弘行;下山隆登;草刈隆 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏;关兆辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种不需要特别的时序、并且能够有效的抑制误输入,在动作中能进行动作模式的输入的半导体存储器及其动作模式的输入方法。读周期中,在对应多个地址的读周期连续时,接受动作模式输入的请求(步骤S1,S2)。在紧跟在此读周期之后的写周期中,基于从外部指定的数据,确定应输入的动作模式。此时,在最初的写周期中设定动作模式的种类,下一个周期中设定动作模式的条件。以此来执行半导体存储器的动作模式的输入。
搜索关键词: 半导体 存储器 及其 动作 模式 输入 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储器的动作模式的输入方法,其特征在于,包括:(a)第1步骤,在对多个地址的读周期连续时,接受动作模式输入的请求,(b)第2步骤,根据紧接着上述读周期的写周期中被指定的数据确定应该输入的动作模式。
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