[发明专利]双极性晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 02804518.1 | 申请日： | 2002-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1518773A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | M·弗拉诺斯;T·梅斯特;H·谢弗;R·斯坦尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明方法使制造一种具低基极连接电阻、低缺陷密度及改良的可缩放性的双极性晶体管为可行。在此情况下要了解可缩放性系指射极窗的侧壁缩放及基极宽度(低温度预算)的垂直缩放，在基极区域，该温度预算可被保持为低的，因不需要植入以减少该基极连接电阻。而且，伴随点状缺陷的困难被大部分避免。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造双极性晶体管，特别是npn双极性晶体管的方法，其具下列步骤：a)一种具集极、基极及轻掺杂射极层的半导体基材被提供；b)一种屏蔽被供应至该轻掺杂射极层；c)该轻掺杂射极层在屏蔽协助下被湿化学蚀刻，由此形成一种轻掺杂射极；d)基极连接在该基极的未覆盖区域上形成；e)该屏蔽被移除及高度掺杂射极被形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02804518.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双栅极晶体管及其制造方法
- 下一篇：薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
