[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法无效
| 申请号： | 02804685.4 | 申请日： | 2002-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1554114A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 池田太郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种等离子体处理装置及方法，在利用感应耦合等离子体的同时，难以在等离子体点火之后产生斜向电场引起的缺陷。另外，提供一种等离子体处理装置及方法，在感应耦合等离子体方式中并用法拉第屏蔽件来去除斜向电场，同时，可确实点火等离子体。该装置构成为具备：容室(31)；钟罩(32)；设置在所述钟罩(32)外侧的线圈(42)；设置在所述钟罩(32)与所述线圈(42)之间的法拉第屏蔽件(44)；隔板(33)；设置在所述钟罩(32)上方的导电性部件(49)；在所述线圈(42)中形成感应电磁场的第1高频电源(43)；和在所述隔板(33)与所述导电性部件(49)之间形成电场的第2高频电源(34)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体处理装置，其特征在于：具备：由容纳被处理基板的容纳部和与该容纳部连通且具有绝缘体壁的等离子体形成部构成的、对被处理基板实施等离子体处理的处理容器；设置在所述容纳部的、装载被处理基板的导电性载置台；设置在所述绝缘体壁外侧的、在所述等离子体形成部中形成感应电磁场的天线装置；向所述天线装置提供高频电力的第1高频电源；提供利用通过所述天线装置形成的感应电磁场而电离变为等离子体的等离子体生成气体和进行等离子体处理用的处理气体的气体供给装置；按照与所述载置台相对而设置在所述绝缘体壁外侧的导电性部件；和向所述载置台提供高频电力的第2高频电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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