[发明专利]带有超薄垂直体晶体管的快速存储器有效

申请号：	02804761.3	申请日：	2002-02-04
公开（公告）号：	CN1491428A	公开（公告）日：	2004-04-21
发明（设计）人：	L·福尔贝斯;K·Y·阿恩	申请（专利权）人：	微米技术有限公司
主分类号：	H01L21/265	分类号：	H01L21/265
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	王岳;梁永
地址：	美国爱***	国省代码：	美国;US
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摘要：	提供了具有超薄垂直体晶体管(200)的快速存储器的结构和方法。该快速存储器包括一个存储单元阵列，存储单元包括浮动栅极晶体管(200)。每个浮动栅极晶体管(200)包括从半导体基片(202)向外延伸的柱体(201)。该柱体(201)包括由氧化物层(208)垂直分开的单晶第一接触层(204)和第二接触层(206)。在柱体侧面形成单晶垂直晶体管(210)。该单晶垂直晶体管(210)包括将超薄单晶垂直第一源/漏区(214)和超薄单晶垂直第二源/漏区(216)分开的超薄单晶垂直体区(212)。浮动栅极(212)与超薄单晶垂直体区(212)和由绝缘层(220)从浮动栅极(212)分开的控制栅极(218)相对。
搜索关键词：	带有超薄垂直晶体管快速存储器
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【主权项】：

1.一种浮动栅极晶体管，包括：从半导体基片向外延伸的柱体，其中，该柱体包括由氧化物层垂直分开的单晶第一接触层和第二接触层；在该柱体的侧面形成的单晶垂直晶体管，其中该单晶垂直晶体管包括一个超薄单晶垂直体区，该区将超薄单晶垂直第一源/漏区与超薄单晶垂直第二源/漏区分开；与超薄单晶垂直体区相对的浮动栅极；和被一个绝缘层从浮动栅极分开的控制栅极。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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