[发明专利]时间记录装置及使用半导体组件之时间记录方法

摘要

一种时间记录装置使用浮动闸胞元，其中ON层结构或ONO层结构在浮动闸及控制闸间被提供。一种电荷注入单元被提供以藉由施用电压或电压脉冲于该控制闸电极而注入电荷于该浮动闸电极及注入ON结构或ONO结构的该氮化物层，注入该氮化物层的电荷浓度中心系位于该层序列的氧化物层及氮化物层间的接口。时间记录装置亦包括一种单元以在该氮化物层电荷浓度中心离开接口之偏移所引起在该信道区域的传送行为之变化为基准记录自电荷注入已经过时间。

主权项

1.一种时间记录装置，其包括一具晶体管结构的半导体组件(50)，其包括源极/汲极区域(2)及在其间的信道区域(8)，置于信道区域(8)上方的闸介电体(10)，置于闸氧化物(10)上方的浮动闸电极(12)，包括置于浮动闸电极(12)上的氧化物层(16)及位于氧化物层(16)上的氮化物层(18)之层序列，该层序列被置于浮动闸电极(12)之上，且该层序列上有控制闸电极(14)；电荷载体注入单元(56)以藉由施用电压或电压脉冲于该控制闸电极(14)而注入电荷于该浮动闸电极(12)及注入该氮化物层(18)，注入该氮化物层(18)的电荷浓度中心系位于该层序列的氧化物层(16)及氮化物层(18)间的接口；及一单元以在该氮化物层(18)电荷浓度中心离开接口之偏移所引起在该信道区域(8)传送行为的变化为基准记录自电荷注入已经过时间。