[发明专利]在使用中可编程的具有超薄垂直体晶体管的逻辑阵列无效
| 申请号： | 02804793.1 | 申请日： | 2002-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1491484A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | L·福尔贝斯 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/177 | 分类号： | H03K19/177;H01L25/00;G06F7/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于具有超薄垂直体晶体管的在使用中可编程的逻辑阵列的结构和方法被提供。在使用中可编程的逻辑阵列包括接收多个输入信号的第一逻辑平面。第一逻辑平面具有以行和列被安排的多个逻辑元，其被互连以提供多个逻辑输出。第二逻辑平面具有以行和列被安排的多个逻辑元，其接收第一逻辑平面的输出并被互连以产生多个逻辑输出以使在使用中可编程的逻辑阵列实施逻辑功能。每个逻辑元都包括从半导体基片向外延伸的垂直支柱。每个支柱都包括由氧化物层分开的单晶第一接触层和第二接触层。至少一个单晶超薄垂直浮栅晶体管被布置得与每个垂直支柱相邻。单晶垂直浮栅晶体管包括：被耦合于第一接触层的超薄单晶垂直第一源/漏区，被耦合于第二接触层的超薄单晶垂直第二源/漏区；以及与所述氧化物层相对并耦合第一和第二源/漏区的超薄单晶垂直体区。垂直浮栅与所述超薄单晶垂直体区相对。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 可编程 具有 超薄 垂直 晶体管 逻辑 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种在使用中可编程的逻辑阵列，包括：第一逻辑平面，其接收多个输入信号，该第一逻辑平面具有以行和列被安排的多个逻辑元，其被互连以提供多个逻辑输出；第二逻辑平面，具有以行和列被安排的多个逻辑元，其接收第一逻辑平面的输出并被互连以产生多个逻辑输出以使在使用中可编程的逻辑阵列实施逻辑功能；并且其中每个逻辑元都包括：垂直支柱，其从半导体基片向外延伸，其中每个支柱都包括由氧化物层分开的单晶第一接触层和第二接触层；以及至少一个单晶超薄垂直浮栅晶体管，其被选择性地布置得与所述垂直支柱相邻，其中每个单晶垂直浮栅晶体管都包括：被耦合于第一接触层的超薄单晶垂直第一源/漏区；被耦合于第二接触层的超薄单晶垂直第二源/漏区；与所述氧化物层相对并耦合第一和第二源/漏区的超薄单晶垂直体区；以及与所述超薄单晶垂直体区相对的浮栅。
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