[发明专利]具有垂直超薄体晶体管的可编程存储器的寻址和译码器电路无效
申请号: | 02804798.2 | 申请日: | 2002-02-06 |
公开(公告)号: | CN1502133A | 公开(公告)日: | 2004-06-02 |
发明(设计)人: | L·福尔贝斯 | 申请(专利权)人: | 微米技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明;梁永 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于可编程存储器的寻址和译码器电路的结构和方法。存储器寻址和译码器电路包括多条地址线和多条输出线,由此地址线和输出线形成一个阵列。多个垂直柱体在输出线和地址线交叉处从半导体衬底向外延伸。每个柱体包括由氧化层分隔的单晶的第一接触层和第二接触层。靠近该多个垂直柱体选择性地设置多个单晶的超薄垂直浮栅晶体管。每个单晶的垂直浮栅晶体管包括耦连到第一接触层的超薄单晶垂直的第一源/漏区、耦连到第二接触层的超薄单晶垂直的第二源/漏区、以及与氧化层相对设置并耦连第一和第二源/漏区的超薄单晶垂直体区。浮栅与超薄单晶垂直体区相对。多条地址线的每一条地址线作为一个控制栅、设置在柱体的行之间并与单晶垂直浮栅晶体管的浮栅相对。 | ||
搜索关键词: | 具有 垂直 超薄 晶体管 可编程 存储器 寻址 译码器 电路 | ||
【主权项】:
1.一种用于存储器装置的译码器,包括:多条地址线;多条输出线;其中该地址线和该输出线形成一阵列;以及多个垂直柱体,在输出线和地址线的交叉处从半导体衬底向外延伸,其中每个柱体包含由氧化层隔离的单晶第一接触层和第二接触层;多个单晶超薄垂直浮栅晶体管,它们相邻多个垂直柱体选择地设置,其中每个单晶垂直浮栅晶体管包含:耦连到该第一接触层的超薄单晶垂直的第一源/漏区;耦连到该第二接触层的超薄单晶垂直的第二源/漏区;和超薄单晶垂直体区,其面对该氧化层并耦连第一和第二源/漏区;和面对该超薄单晶垂直体区的浮栅;多条埋置的源线,该源线由单晶半导体材料形成并设置在该阵列中的该柱体之下,用于与该阵列中的柱体的第一接触层形成互连;以及其中该多条地址线的每一条地址线设置在该柱体的行之间并面对该单晶的垂直浮栅晶体管的浮栅并用作一个控制栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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