[发明专利]用于电容器阳极的钽－硅和铌－硅基体无效
| 申请号： | 02804876.8 | 申请日： | 2002-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1491298A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | L·辛金斯;A·孔伦 | 申请（专利权）人： | H.C.施塔克公司 |
| 主分类号： | C25B11/04 | 分类号： | C25B11/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王景朝;马崇德 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用Ta－Si、Nb－Si、TaN－Si、NbN－Si和变体作为增强的粉末阳极基体用于电解质电容器阳极(烧结粉末体)，其中在内孔壁上有介电氧化物形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电容器 阳极 基体 | ||
【主权项】：
1.金属的粉末基体合金，含有钽和铌或者其氮化物中的一种或两种，它们掺有混合在其中并与其合金化的硅组分。
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