[发明专利]可编程熔丝和反熔丝及其方法无效
| 申请号： | 02804908.X | 申请日： | 2002-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1491417A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | L·福尔贝斯 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | p沟道MOSFET器件(300)通过利用不正常空穴产生在存储器译码电路中用作可编程熔丝或反熔丝。施加足够大的负栅极偏置电压(314)，以使隧道电子获得足够的能量越过氧化物(312)的带隙能量。这使得在硅衬底中产生高能空穴－电子对。然后，空穴从衬底注入到氧化物中，并保持被捕获。导致p沟道MOSFET的阈值电压发生大的偏移。随后，通过施加正栅极偏置电压可以复位该器件。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 反熔丝 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可编程开关元件，包括：在衬底中的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，MOSFET具有第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、在第一和第二源极/漏极区之间的沟道区以及通过栅极氧化物与沟道区分开的栅极；连接到栅极的字线；连接到第一源极/漏极区的第一传输线；以及连接到第二源极/漏极区的第二传输线，其中MOSFET是在栅极氧化物中具有捕获的正电荷，从而其阈值电压与未编程状态的MOSFET的阈值电压相比发生了明显的改变的编程后的MOSFET。
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